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BSC029N025S G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSC029N025S G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.9 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 15V
功率_最大:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包裝:帶卷 (TR)

BSC029N025S G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.9 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 15V
功率_最大:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包裝:剪切帶 (CT)

BSC029N025S G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.9 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 15V
功率_最大:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包裝:Digi-Reel®

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